2SB1182PT

更新时间： 2024-02-01 08:55:28

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力勤 - CHENMKO		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
PNP Epitaxial Transistor

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2SB1182PT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1182PT 数据手册

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD

2SB1182PT

SMALL FLAT

PNP Epitaxial Transistor

VOLTAGE 32 Volts CURRENT 2 Ampere

APPLICATION

* Power driver and Dc to DC convertor .

FEATURE

* Small flat package. (DPAK)

DPAK

* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).

* High saturation current capability.

.094 (2.38)

CONSTRUCTION

.086 (2.19)

.022 (0.55)

* PNP Switching Transistor

.018 (0.45)

(1) (3)

(2)

.028 (0.70)

.019 (0.50)

.035 (0.90)

.181 (4.60)

.024 (0.60)

.268 (6.80)

.252 (6.40)

.023 (0.58)

.018 (0.46)

(3)

(2)

CIRCUIT

1 Base

2 Emitter

(1)

3 Collector ( Heat Sink )

Dimensions in inches and (millimeters)

DPAK

MAXIMUM RATINGES ( At TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

CONDITION

Open Emitter

SYMBOL

VCBO

MIN.

MAX.

UNITS

Volts

Collector - Base Voltage

-40

-32

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current DC

Open Base

VCEO

VEBO

Volts

Amps

^oC

Open Collector

-5

-2

Peak Collector Current

Peak Base Current

ICM

-3

IBM

-0.5

1500

+150

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Junction Temperature

Operating Ambient Temperature

TA ≤ 25^OC; Note 1

PTOT

TSTG

-55

^oC

TAMB

-55

^oC

2007-6

Note

1. Transistor mounted on ceramic substrate 50mmX50mmx0.8t.

2. Measured at Pulse Width 300 us, Duty Cycle 2%.

12 3

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