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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1116L-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SB1116L-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SB1116L-X-T92-R | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB1116L-Y-T92-R | UTC |
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Transistor |
|
| 2SB1116U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
|
| 2SB1116-U | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC |
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| 2SB1116-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB1116-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB1117 | NEC |
获取价格 |
Suitable for driver of solenoid or motor, or electronic flash |
|
| 2SB1117K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
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