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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1116AL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
|
| 2SB1116AL-G-T92-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, |
|
| 2SB1116AL-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SB1116AL-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SB1116AL-Y-T92-B | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, |
|
| 2SB1116AL-Y-T92-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1116AU | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
|
| 2SB1116A-U | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC |
|
| 2SB1116A-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SB1116A-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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