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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1079-E | RENESAS |
获取价格 |
20A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P, 3 PIN |
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| 2SB108040ML | SILAN |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS |
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| 2SB108060ML | SILAN |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS |
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| 2SB108100MA | SILAN |
获取价格 |
LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS |
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| 2SB1085 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1085 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1085 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SB1085 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1085/D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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