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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1085/D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085/F | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1085_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1085_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1085A | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1085A | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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