2SB1085D

更新时间： 2024-02-27 15:15:16

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1085D 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1085D 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1085

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SD1562

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in low frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-120

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-1.5

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-3.0

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1085D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1085E	ROHM	获取价格	1.5A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
2SB1085F	ROHM	获取价格	1.5A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
2SB1086	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1086	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1086	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1086/N	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
2SB1086/P	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
2SB1086/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
2SB1086/Q	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
2SB1086/QR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast