2SB1072L

更新时间： 2024-02-18 01:25:53

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1072L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1072(L), 2SB1072(S)

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Medium speed power amplifier

Outline

DPAK

2, 4

I_D

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

S Type

3 kΩ

(Typ)

0.4 kΩ

(Typ)

L Type

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1072S	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Triple Diffused
2SB1073	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SB1073	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR
2SB1073	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB1073	TYSEMI	获取价格	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Large peak collector current ICP
2SB1073	WILLAS	获取价格	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1073	LGE	获取价格	双极型晶体管
2SB1073	CJ	获取价格	SOT-89-3L
2SB1073	BL Galaxy Electrical	获取价格	20V,4A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
2SB1073G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP