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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1073-TP
2SB1073-TP PDF预览

2SB1073-TP

更新时间： 2024-01-26 17:32:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 198K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, MINIPAK-3

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2SB1073-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SB1073-TP 数据手册

 浏览型号2SB1073-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1073-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SB1073-Q  
2SB1073-R  
Micro Commercial Components  
Features  
Silicon  
PNP epitaxial planer  
Transistors  
•
•
•
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Large peak collector current ICP  
Mini power type package  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
SOT-89  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
A
K
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
IC  
PC  
TJ  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Rating  
-20  
-30  
-7  
-7  
-4  
Unit  
V
V
V
A
A
W
R
B
E
C
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
1
150  
D
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
G
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
J
F
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
-20  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0Vdc)  
-30  
-7  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
nAdc  
---  
1
2
3
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
---  
---  
-100  
-100  
315  
-1  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-7Vdc, IC=0Vdc)  
---  
---  
hFE  
DC Current Gain (note 1)  
(IC=-2Adc, VCE=-2Vdc) (note 2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-3Adc, IB=-0.1Adc) (note 2)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCB=-6Vdc, IE=-50mAdc, f=200MHz)  
Output Capacitance  
120  
---  
---  
VCE(sat)  
-0.6  
120  
40  
Vdc  
MHz  
pF  
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fT  
---  
---  
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Cob  
---  
---  
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ꢆ
(VCB=-20Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
ꢆ
Note: 1. hFE Rank Classification  
ꢆ
Rank  
hFE  
Marking Symbol  
Q
R
ꢆ
ꢆ
120~205  
IQ  
180~315  
IR  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
2. Pulse measurement  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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