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Datasheet > 暂无类别数据> 2SB1073-R-T
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2SB1073-R-T

更新时间： 2024-02-08 19:46:09
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 198K
描述
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2SB1073-R-T 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SB1073-Q  
2SB1073-R  
Micro Commercial Components  
Features  
Silicon  
PNP epitaxial planer  
Transistors  
•
•
•
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Large peak collector current ICP  
Mini power type package  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
SOT-89  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
A
K
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
IC  
PC  
TJ  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Rating  
-20  
-30  
-7  
-7  
-4  
Unit  
V
V
V
A
A
W
R
B
E
C
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
1
150  
D
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
G
H
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
J
F
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
-20  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0Vdc)  
-30  
-7  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
nAdc  
---  
1
2
3
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
---  
---  
-100  
-100  
315  
-1  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-7Vdc, IC=0Vdc)  
---  
---  
hFE  
DC Current Gain (note 1)  
(IC=-2Adc, VCE=-2Vdc) (note 2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-3Adc, IB=-0.1Adc) (note 2)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCB=-6Vdc, IE=-50mAdc, f=200MHz)  
Output Capacitance  
120  
---  
---  
VCE(sat)  
-0.6  
120  
40  
Vdc  
MHz  
pF  
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fT  
---  
---  
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Cob  
---  
---  
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ꢆ
(VCB=-20Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
ꢆ
Note: 1. hFE Rank Classification  
ꢆ
Rank  
hFE  
Marking Symbol  
Q
R
ꢆ
ꢆ
120~205  
IQ  
180~315  
IR  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
2. Pulse measurement  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SB1073-R-T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SB1073-R-TP MCC Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP

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