2SB1070TX

更新时间： 2024-02-11 12:42:19

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松下 - PANASONIC		开关
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4页	83K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SB1070TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SB1070TX 数据手册

Power Transistors

2SB1070, 2SB1070A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Unit: mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High-speed switching

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

Parameter

Symbol

Rating

−40

Unit

2SB1070

2SB1070A

2SB1070

2SB1070A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

−50

V_CEO

−20

Collector-emitter voltage

(Base open)

−40

1: Base

2: Collector

3: Emitter

N-G1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−4

Peak collector current

Collector power dissipation

−8

Note) Self-supported type package is also prepared.

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−20

−40

Typ

Max

Unit

2SB1070

2SB1070A

2SB1070

2SB1070A

V_CEO

I_C= −10 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

I_CBO

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

µA

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −1 A



h_FE2

260

−1.5

− 0.5

Base-emitter saturation voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_BE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −5 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

150

0.3

0.4

0.1

MHz

µs

I_C= −2 A

Storage time

I_B1= − 0.2 A, I_B2= 0.2 A

V_CC= −20 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Publication date: February 2003

SJD00040AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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