2SB1071

更新时间： 2024-09-25 06:18:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	131K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1071 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	2 W	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V

2SB1071 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1071 2SB1071A

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Low collector saturation voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·For low voltage switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

UNIT

2SB1071

2SB1071A

2SB1071

2SB1071A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-50

-20

V_CEO

Collector -emitter voltage

Open base

-40

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_CM

Collector current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

2.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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