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2SB1064/D

更新时间: 2024-11-12 13:04:11
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SB1064/D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:30 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SB1064/D 数据手册

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