2SB1065

更新时间： 2024-01-12 19:56:29

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	122K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1065 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
VCEsat-Max：	1 V

2SB1065 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1065

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD1506

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-5

-3

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-4.5

P_D

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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