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2SB0779(2SB779)

更新时间： 2022-01-18 16:09:00

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描述
小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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2SB0779(2SB779) 数据手册

トランジスタ

2SB0779 (2SB779)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

低周波出力増幅用

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ 特ꢀ長

•

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V_CE(sat)が低い

低コレクタ電圧時の直流電流増幅率h_FEの直線性が良い

ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピング,

マガジン包装による自動挿入が可能

(0.95) (0.95)

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

10˚

項目

記号

定格

−25

−20

−7

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

EIAJ : SC-59

Mini3-G1 Package

コレクタ電流

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

合温度

I_C

I_CP

P_C

T_j

−500

−1

形名表示記号 : 1A

200

接

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

−25

−20

−7

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時) I_CEO

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −25 V, I_E= 0

V_CE= −20 V, I_B= 0

V_CE= −2 V, I_C= −500 mA

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

−100

−1

µA

直

流電流増幅率

h_FE1

220



h_FE2



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

−1.2

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. 1 : パルス測定

2 : ランク分類

ランク

h_FE1

90 ∼ 155

130 ∼ 220

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年3月

SJC00054CJD

12 3

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