Datasheet > 2SB0788S

2SB0788S

更新时间： 2024-01-21 04:45:08

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	64K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0788S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0788S 数据手册

Transistor

2SB0788 (2SB788)

Silicon PNP epitaxial planer type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Complementary to 2SD0958 (2SD958)

Unit: mm

6.9 0.1

2.5 0.1

1.0

1.5

1.5 R0.9

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

Low noise voltage NV.

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.9

R0.7

0.85

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–120

–7

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.5

–50

˚C

I_C

–20

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

µA

V_CB= –50V, I_E= 0

V_CE= –50V, I_B= 0

_C= –10µA, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

–120

–7

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –5V, I_C= –2mA

180

700

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –20mA, I_B= –2mA

V_CB= –5V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CE= 40V, I_C= –1mA, G_V= 80dB,

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

– 0.6

Transition frequency

f_T

150

MHz

Noise voltage

150

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3

下载PDF

与2SB0788S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0788T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71	获取价格
2SB0789	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SB0789(2SB789)	ETC	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅	获取价格
2SB0789/2SB0789A(2SB789/2SB789A)	ETC	2SB0789. 2SB0789A (2SB789. 2SB789A) - PNP Transistor	获取价格
2SB0789A	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type	获取价格
2SB0789A(2SB789A)	ETC	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅	获取价格