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2SB0788S

更新时间： 2024-01-20 03:58:00

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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3页	64K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71

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2SB0788S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0788S 数据手册

Transistor

2SB0788

P_C— Ta

I_C— V_BE

V_CE(sat)— I_C

500

450

400

350

300

250

200

150

100

–60

–50

–40

–30

–20

–10

–100

I_C/I_B=10

V_CE=–5V

–30

–10

25˚C

Ta=75˚C

–25˚C

–3

–1

– 0.3

– 0.1

25˚C

Ta=75˚C

–25˚C

– 0.03

– 0.01

20 40 60 80 100 120 140 160

– 0.4 – 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Base to emitter voltage V_BE

Collector current I_CmA

h_FE— I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

600

500

400

300

200

100

320

280

240

200

160

120

V_CB=–10V

Ta=25˚C

V_CE=–5V

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.1

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

0.3

100

–1

–3

–10

–30

–100

(

)

(

)

( )

Collector to base voltage V_CBV

Collector current I_CmA

Emitter current I_EmA

NV — I_C

120

100

V_CE=–10V

G_V=80dB

Function=FLAT

R_g=100kΩ

22kΩ

4.7kΩ

– 0.01

– 0.03

– 0.1

– 0.3

–1

(

)

Collector current I_CmA

123

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