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2SB0779Q

更新时间： 2024-02-02 17:54:56
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
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3页 63K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB

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2SB0779Q 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：130
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB0779Q 数据手册

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Transistor  
2SB0779 (2SB779)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
2.8 +–00..32  
1.5 +–00..0255  
0.65 0.15  
Features  
I
G
0.65 0.15  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
G
Satisfactory linearity of hFE at the low collector voltage.  
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
2
G
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–25  
Unit  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–20  
V
–7  
V
–1  
A
1:Base  
2:Emitter  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
IC  
– 0.5  
200  
A
3:Collector  
Mini Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Marking symbol : 1A  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
µA  
V
VCB = –25V, IE = 0  
VCE = –20V, IB = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–25  
–20  
–7  
IC = –1mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –2V, IC = –0.5A*2  
90  
220  
Forward current transfer ratio  
VCE = –2V, IC = –1A*2  
25  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
– 0.2  
– 0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
150  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
1AQ  
130 ~ 220  
1AR  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows  
conventional part number.  
Marking Symbol  
1
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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