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2SB0779Q

更新时间： 2024-01-12 17:53:10

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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3页	63K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB

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2SB0779Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0779Q 数据手册

Transistor

2SB0779

P_C— Ta

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

240

200

160

120

–100

I_C/I_B=10

–30

–10

–30

–10

–3

–1

–3

–1

25˚C

Ta=–25˚C

75˚C

Ta=75˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

– 0.3

– 0.1

–25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.03

– 0.01

20 40 60 80 100 120 140 160

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

(

)

( )

Ambient temperature Ta ˚C

Collector current I_C

h_FE— I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

600

500

400

300

200

100

400

360

320

280

240

200

160

120

V_CB=–10V

Ta=25˚C

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

V_CE=–2V

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

0.3

100

–1

–3

–10

–30

–100

( )

(

)

( )

Collector to base voltage V_CBV

Collector current I_C

Emitter current I_EmA

123

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