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2SA94

更新时间： 2024-02-12 17:49:52

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High voltage transistors

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2SA94 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

A94

TRANSISTOR（ PNP ）

FEATURES

TO— 92

Power dissipation

P_CM: 0.625 W （Tamb=25℃）

Collector current

I_CM:-0.2 A

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -400 V

1.EMITTER

2.BASE

3. COLLECTOR

Operating and storage junction temperature range

1 2 3

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL

CHARACTERISTICS （ Tamb=25 ℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V (BR)_CBO

V (BR)_CEO

V (BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-400

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA， I_E=0

I_C= -1 mA，I_B=0

I_E=-100μA，I_C=0

V_CB=-400 V, I_E=0

-0.1

-5

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-400 V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -4 V, I_C=0

-0.1

300

h_FE（1）

V_CE=-10V, I_C=-10 mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CE=-10V, I_C=-100 mA

I_C=-10 mA，I_B=-1mA

I_C=-50 mA，I_B=-5mA

I_C=-10 mA，I_B= -1 mA

DC current gain

h_FE（2）

h_FE（3）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.2

-0.3

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

-0.75

V_CE=-20V， I_C=-10mA

f =30MHz

MHz

12 3

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