2SA940

更新时间： 2024-01-24 20:21:39

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA940 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SA940 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA940

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= -150V(Min)

·DC Current Gain

: h_FE= 40-140@ I_C= -0.5A

·Complement to Type 2SC2073

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier ,

vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-1.5

I_CM

-3.0

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

5.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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