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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 210 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA806C1/N | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA806C1/NQ | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA806C1/P | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA806C1/PQ | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA806C1/Q | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA806C1N | ROHM | 30mA, 210V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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