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2SA807

更新时间： 2024-02-11 22:34:11

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA807 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA807 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA807

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SC1618

APPLICATIONS

·For power amplifier and general purpose

applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-6

I_B

Base current

-3

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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