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2SA811A

更新时间： 2024-01-30 22:35:47

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科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	37K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistor

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2SA811A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA811A 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Silicon Epitaxial Transistor

2SA811A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

High DC current gain.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-120

Unit

-120

-5

-50

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

200

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-50

Unit

VCB = -120V, IE=0

VEB = -5V, IC=0

I^EBO

-50

V^CE= -6V , IC = -1mA

V^CE= -6V , IC = -0.1mA

135

100

500

900

DC current gain *

h^FE

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter voltage *

V^CE(sat)IC = -10mA , IB = -1mA

-0.09 -0.30

-0.55 -0.61 -0.65

V^BE

f^T

VCE = -6V , IC = -1mA

VCE = -6V , IE = 1mA

Gain bandwidth product

Output capacitance

MHz

C^ob

VCB = -30V , IE = 0 , f = 1.0MHz

2.0

3.0

* Pulse test: tp

350 ìs; d

0.02.

hFE Classification

Marking

hFE

C15

135 270

C16

200 400

C17

300 600

C18

450 900

www.kexin.com.cn

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与2SA811A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA811A-A	RENESAS	50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
2SA811AC15	ETC	BJT	获取价格
2SA811AC15-A	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIM	获取价格
2SA811AC15-L	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23VAR	获取价格
2SA811AC15-T1B	RENESAS	50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
2SA811AC15-T1B-A	RENESAS	50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格