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2SA1962

更新时间： 2024-01-08 05:46:31

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1962 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1962 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1962

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-50mA; I_B=0

-230

I_C=-8 A;I_B=-0.8A

I_C=-7A ; V_CE=-5V

V_CB=-230V; I_E=0

V_EB=-5V; I_C=0

-3.0

-1.5

-5

I_CBO

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

μA

I_EBO

-5

h_FE-1

h_FE-2

f_T

I_C=-1A ; V_CE=-5V

I_C=-7A ; V_CE=-5V

I_C=-1A ; V_CE=-5V

I_E=0; V_CB=-10V;f=1MHz

160

DC current gain

Transition frequency

MHz

C_OB

Output capacitance

360

h_FE-1classifications

55-110

80-160

123 4

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