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2SA1953-A

更新时间： 2024-01-29 05:20:57

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	190K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1953-A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.49
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1953-A 数据手册

2SA1953

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1953

General Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

Switching and Muting Switch Application

•

Low saturation voltage: V

(1) = −15 mV (typ.)

CE (sat)

@I = −10 mA/I = −0.5 mA

Large collector current: I = −500 mA (max)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−15

−12

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

−500

−50

°C

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

150

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

125

stg

−55~125

SC-59

TOSHIBA

2-3F1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

Weight: 0.012 g (typ.)

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Marking

2007-11-01

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1953B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 12V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-59	获取价格
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