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2SA1898

更新时间： 2024-11-24 06:24:27

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PNP Epitaxial Planar Silicon

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2SA1898 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

PNP Epitaxial Planar Silicon

2SA1898

Features

Adoption of FBET and MBIT processes.

Large current capacity.

Low collector-to-emitter saturation voltage.

Fast switching speed.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-15

-5

-3

Collector current (pulse)

Base current

I^CP

-5

I^B

-600

1.3

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

P^C

T^j

150

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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