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2SA1900T100/Q

更新时间： 2024-02-17 02:26:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SA1900T100/Q 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

2SA1900T100/Q 数据手册

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2SA1900  
Transistors  
Medium power transistor (−50V, −1A)  
2SA1900  
zDimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=−0.15V at IC/  
IB=−500mA/−50mA  
MPT3  
2) PC=2W (on 40×40×0.7mm ceramic board)  
3) Complements the 2SC5053  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
z Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−60  
−50  
−5  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter- base voltage  
V
V
−1  
−2  
A
Collector current  
IC  
A (Pulse) ∗1  
0.5  
W
Collector power dissipation  
PC  
2
150  
W
°C  
°C  
∗2  
Collector power dissipation  
Storage temperature  
tj  
t
stg  
−55 to +150  
∗1 Pw=20ms, Duty=1/2  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm seramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
−60  
−50  
−5  
−
−
−
120  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
150  
20  
−
−
−
−0.1  
−0.1  
−0.4  
270  
−
V
V
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
=−50µA  
CB=−40V  
EB=−4V  
C
V
E
BVEBO  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
C
/I  
B
=−500mA/−50mA  
=−3V/−0.5A  
CE=−5V , I =50mA , f=100MHz  
CB=−10V , I =0A , f=1MHz  
V
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC  
f
T
Transition frequency  
E
Output capacitance  
Cob  
−
E
zPackaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SA1900  
MPT3  
Q
∗
AL  
Marking  
Code  
T100  
1000  
Basic ordering unit (pleces)  
∗ Denotes  
hFE  
Rev.C  
1/2  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1900T100/QR ROHM 1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SA1900T100/R ROHM 1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SA1900T100Q ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62

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