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2SA1900T100QR

更新时间: 2024-01-16 15:34:58
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1900T100QR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.64
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SA1900T100QR 数据手册

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