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2SA1900T100/Q

更新时间： 2024-01-26 01:12:40

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	79K
描述
1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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技术参数
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2SA1900T100/Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SA1900T100/Q 数据手册

2SA1900

Transistors

zElectric characteristics curves

1000

500

−

1000

−1.0

Ta=25°C

/I =10

Ta=25°C

C B

−

500

−

9mA

−

10mA

−0.8

−0.6

−0.4

CE=−3V

−

200

100

200

−

100

−

−0.2

−

−1m

−10m

−100m

−1 −2

−0.001

−0.01

−0.1

−1 −2

−1

−2

−3

−4

−5

COLLECTOR CURRENT : I

(A)

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)

COLLECTOR CURRENT : I

(A)

Fig.3 Collector-emitter saturation voltage

vs.collector current

Fig.1 Grounded emitter output characteristics

Fig.2 DC current gain

vs. collector current

1000

500

−

1000

Ta=25°C

f=1MHz

CE=−5V

∗Single

500

−

nonrepeatitive pulse

IE=0A

∗

C Max. (Pulse )

200

100

200

100

−

−0.5

−

0.2

0.1

−

−0.05

−

0.02

0.01

−0.1

−

−1

−10

−100

1m 2m

5m 10m 20m

50m 0.1 0.2

0.5

−1

−10

−100

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)

EMITTER CURRENT : IE (A)

Fig.6 Safe operating area

Fig.4 Gain bandwith product

vs. emitter current

Fig.5 Collector output capacitance

vs. collector-base voltage

Rev.C

2/2

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1900T100PQ	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
2SA1900T100PR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
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