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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.52 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 40 pF | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1899Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-71 |
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| 2SA1899-Y | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1900 | ROHM |
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Medium Power Transistor (-50V, -1A) |
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| 2SA1900 | KEXIN |
获取价格 |
Medium power transistor |
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| 2SA1900 | TYSEMI |
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Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.15V at IC /IB = 500mA / 50mA |
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| 2SA1900P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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| 2SA1900Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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| 2SA1900R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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| 2SA1900T100/P | ROHM |
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1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1900T100/PQ | ROHM |
获取价格 |
1A, 50V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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