5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1862/NP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1862/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1862_1 | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A) |
|
| 2SA1862F5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252 |
|
| 2SA1862F5/N | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1862F5/NP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1862F5/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1862F5N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SA1862F5P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
|
| 2SA1862F5TLNP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
