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2SA1862/N

更新时间: 2024-09-17 20:54:59
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罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1862/N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):56JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SA1862/N 数据手册

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