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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1862/P
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2SA1862/P

更新时间： 2024-01-04 06:38:17
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SA1862/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：10 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：18 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SA1862/P 数据手册

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2SA1862  
Transistors  
High-voltage Switching Transistor  
(−400V, −2A)  
2SA1862  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V)  
2) Low saturation voltage.  
5.5  
0.9  
1.5  
(Typ. VCE (sat) = −0.3V at IC / IB = −500mA / −100mA)  
3) High switching speed, typically tf = 0.4µs at IC = −1A.  
4) Wide SOA (safe operating area).  
C0.5  
0.8Min.  
(1) Base(Gate)  
1.5  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
2.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−400  
−400  
−7  
V
V
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
−2  
−4  
Collector current  
IC  
∗
1
10  
Collector power dissipation  
PC  
W (Tc=25°C)  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗
Single pulse, Pw=10ms  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SA1862  
CPT3  
P
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
TL  
2500  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−400  
−
−
−
−
−
−0.3  
−
−
18  
30  
0.2  
1.8  
0.4  
−
−
−
−10  
−10  
−0.5  
−1.2  
180  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
−400  
−7  
−
−
−
−
82  
−
−
−
C
V
E= −50µA  
CB= −400V  
EB= −5V  
/I  
/I  
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
I
EBO  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
V
CE(sat)  
I
I
C
B
= −0.5A/ −0.1A  
= −0.5A/ −0.1A  
CE(sat)  
V
C
B
hFE  
−
V
V
V
CE= −5V, IC= −0.1A  
CB= −10V, I  
CE= −10V, I  
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
E
=0.1A, f=5MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
E
Turn-on time  
I
I
C
=−1A, R  
B1=−IB2= −0.2A  
150V  
L=150Ω  
Storage time  
−
−
Fall time  
V
CC  
−
Rev.A  
1/2  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1862_1 ROHM High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)

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