5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SA1862TL/P
2SA1862TL/P PDF预览

2SA1862TL/P

更新时间： 2024-01-25 06:58:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
2000mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN

阅读下载

获取价格

2SA1862TL/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.29
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：18 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2SA1862TL/P 数据手册

 浏览型号2SA1862TL/P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1862TL/P的Datasheet PDF文件第3页 
2SA1862  
Transistors  
High-voltage Switching Transistor  
(ꢀ400V, ꢀ2A)  
2SA1862  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = ꢀ400V)  
2) Low saturation voltage.  
6.5  
CPT3  
5.1  
2.3  
0.5  
(Max. VCE (sat) = ꢀ0.5V at I  
C
/ IB = ꢀ500mA / ꢀ100mA)  
3) High switching speed, typically tf = 0.4Ps at I  
C
= ꢀ1A.  
4) Wide SOA (safe operating area).  
0.75  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
0.65  
2.3  
0.9  
(1)  
2.3  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
(3)  
(2)  
(1)Base (Gate)  
0.5  
1.0  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−400  
−400  
−7  
V
(2)Collector (Drain)  
(3)Emitter (Source)  
V
Abbreviated symbol : A1862  
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
−2  
−4  
Collector current  
IC  
∗
1
10  
Collector power dissipation  
PC  
W (Tc=25°C)  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗
Single pulse, Pw=10ms  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SA1862  
CPT3  
P
Package  
hFE  
Code  
TL  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
zElectrical characteristics (Ta=25qC)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−400  
−
−
−
−
−
−
−
−
18  
30  
0.2  
1.8  
0.4  
−
−
−
−10  
−10  
−0.5  
−1.2  
180  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
= −50μA  
= −1mA  
−400  
−7  
−
−
−
−
82  
−
−
−
C
V
E
= −50μA  
CB= −400V  
EB= −5V  
I
CBO  
μA  
μA  
V
V
V
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
VCE(sat)  
IC  
/I  
/I  
B
= −0.5A/ −0.1A  
= −0.5A/ −0.1A  
VBE(sat)  
V
I
C
B
hFE  
−
V
V
V
CE= −5V, IC= −0.1A  
CB= −10V, I  
CE= −10V, I  
f
T
MHz  
pF  
μs  
μs  
μs  
E
=0.1A, f=5MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
E
Turn-on time  
I
I
C
=−1A, R  
B1=−IB2= −0.2A  
150V  
L=150Ω  
Storage time  
−
−
Fall time  
V
CC  
−
Rev.B  
1/2  
123

下载PDF

与2SA1862TL/P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1862TLP ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR

获取价格
2SA1862TR/N ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

获取价格
2SA1862TR/NP ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

获取价格
2SA1862TR/P ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

获取价格
2SA1863 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR

获取价格
2SA1863A1 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70VAR

获取价格

与2SA1862TL/P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证