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2SA1862_1

更新时间： 2024-09-17 04:25:51
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罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管
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3页 92K
描述
High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)

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2SA1862  
Transistors  
High-voltage Switching Transistor  
(−400V, −2A)  
2SA1862  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V)  
2) Low saturation voltage.  
6.5  
CPT3  
5.1  
2.3  
0.5  
(Max. VCE (sat) = −0.5V at I  
C
/ IB = −500mA / −100mA)  
3) High switching speed, typically tf = 0.4µs at I  
C
= −1A.  
4) Wide SOA (safe operating area).  
0.75  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
0.65  
2.3  
0.9  
(1)  
2.3  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
(3)  
(2)  
(1)Base (Gate)  
0.5  
1.0  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−400  
−400  
−7  
V
(2)Collector (Drain)  
(3)Emitter (Source)  
V
Abbreviated symbol : A1862  
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
−2  
−4  
Collector current  
IC  
∗
1
10  
Collector power dissipation  
PC  
W (Tc=25°C)  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗
Single pulse, Pw=10ms  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SA1862  
CPT3  
P
Package  
hFE  
Code  
TL  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−400  
−
−
−
−
−
−
−
−
18  
30  
0.2  
1.8  
0.4  
−
−
−
−10  
−10  
−0.5  
−1.2  
180  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
−400  
−7  
−
−
−
−
82  
−
−
−
C
V
E
= −50µA  
CB= −400V  
EB= −5V  
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
V
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
VCE(sat)  
I
I
C
/I  
/I  
B
= −0.5A/ −0.1A  
= −0.5A/ −0.1A  
V
BE(sat)  
V
C
B
hFE  
−
V
V
V
CE= −5V, IC= −0.1A  
CB= −10V, I  
CE= −10V, I  
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
E
=0.1A, f=5MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
E
Turn-on time  
I
I
C
=−1A, R  
B1=−IB2= −0.2A  
150V  
L=150Ω  
Storage time  
−
−
Fall time  
V
CC  
−
Rev.B  
1/2  
123

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