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2SA1862/NP

更新时间: 2024-11-12 09:51:15
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罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1862/NP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON

2SA1862/NP 数据手册

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