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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1714 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SA1714 | RENESAS |
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3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| 2SA1714-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SA1714K | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SA1714-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SA1714-K | RENESAS |
获取价格 |
3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| 2SA1714-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SA1714K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SA1714L | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SA1714-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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