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2SA1714-M-AZ

更新时间： 2024-02-19 09:51:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	141K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SA1714-M-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.39
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1714-M-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SA1714

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

(DARLINGTON CONNECTION)

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1714 is a high-speed darlington power transistor. This

transistor is ideal for high-precision control such as PWM control for

pulse mortors or blushless mortor of OA and FA equipment.

FEATURES

• High DC current amplifiers due to darlington connection

• Large current capacitance and low V^CE(sat)

• TO-126 power transistor with high power dissipation

• Complementary transistor with 2SC4342

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

Electrode Connection

1. Emitter

2. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

3. Base

4. Fin (collector)

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−100

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

−100

V^CEO

−8.0

V^EBO

–

3.0

I^C(DC)

–

6.0

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.3

1.3

P^T(Ta = 25°C)

P^T(Tc = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16124EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1715	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-92
2SA1718	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1718	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1718	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1718K	ISC	获取价格	Transistor
2SA1718L	ISC	获取价格	Transistor
2SA1718R	SWST	获取价格	功率三极管
2SA1720	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1720-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1720K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220VAR

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