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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1611M7 | ETC |
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BJT |
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| 2SA1611-M7 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1611M7-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
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| 2SA1611M7-T1 | RENESAS |
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100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1611M7-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1611M7-T1-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| 2SA1611M7-T2 | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
|
| 2SA1611M7-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1611-T2-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| 2SA1611W | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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