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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.45 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1611M7-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1611-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| 2SA1611W | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SA1612 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SA1612 | NEC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SA1612 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain Collector to base voltage VCBO -120 V |
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| 2SA1612_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SA1612-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER |
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| 2SA1612C15 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SA1612-C15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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