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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1612C15-T1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SA1612C15-T2 | RENESAS |
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50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1612C15-T2-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SA1612C16 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SA1612-C16 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1612C16-A | RENESAS |
获取价格 |
50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1612C16-T1 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER |
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| 2SA1612C16-T2 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER |
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| 2SA1612C16-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1612C16-T2-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236VAR |
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