5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1585SQ | TRSYS |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1585S-Q | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
|
| 2SA1585S-Q-A | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1585S-Q-AP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1585S-Q-B | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1585S-Q-BP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2SA1585S-Q-BP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1585SR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SPAK |
|
| 2SA1585S-R | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
|
| 2SA1585S-R-A | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
