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2SA1586

更新时间： 2024-02-08 21:52:35

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Silicon PNP Epitaxial

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2SA1586 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
基于收集器的最大容量：	7 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.1 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA1586 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1586

Features

High voltage and high current.

Excellent hFE linearity.

High hFE.

Low noise.

Small package.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-50

Unit

-50

-5

-150

-30

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P^C

100

125

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Min

Typ

-0.1

Max

-0.1

400

-0.3

Unit

ìA

VCB=-50V, IE=0

VEB=-5V, IC=0

I^EBO

ìA

h^FE

VCE=-6V, IC=-2mA

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Noise figure

V^{CE (sat)}IC=-100mA, IB=-10mA

MHz

f^T

VCE=-10V, IC=-1mA

C^ob

VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

V^CE=-6V, IC=-0.1mA, f=1kHz, Rg=10kÙ

1.0

hFE Classification

Marking

hFE

70 140

120 240

200 400

www.kexin.com.cn

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