Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1577T106PR

2SA1577T106PR

更新时间： 2024-11-21 12:58:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	106K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1577T106PR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SA1577T106PR 数据手册

Medium Power Transistor (-32V, -05A)

2SA1577

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Large I_C.

2SA1577

I_CMAX.= -500mA

2) Low V_CE(sat).Ideal for low-voltage operation.

3) Complements the 2SC4097.

2.0 0.2

0.9 0.1

0.7 0.1

1.3 0.1

0.65 0.65

0.2

(1)

(2)

Structure

∼

0.1

Epitaxial planer type

PNP silicon transistor

(3)

−

0.1

0.3

0.15 0.05

All terminals have

same dimensions

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

−40

Unit

Abbreviated symbol: H

∗

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−32

Denotes hFE

∗

−5

∗

−0.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to +150

∗

PC MAX. must not be exceeded.

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

Unit

Conditions

BV_CBO

I_C= −100μA

I_C= −1mA

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector outoff current

−40

−32

−5

−

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

−

I_E= −100μA

V_CB= −20V

V_EB= −4V

−

−1

−0.6

390

−

μA

I_EBO

−

Rmitter cutoff current

−

I_C/I_B= −300mA/−30mA

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

CE(sat)

h_FE

f_T

−

120

−

_CE= −3V, I_C= −100mA

−

_CE= −5V, I_E=20mA, f=100MHz

Transition frequency

200

MHz

V_CB= −10V, I_E=0A, f=1MHz

Output capacitance

Cob

−

Packaging specifications

Package

Code

Taping

T106

h_FEBasic ordering unit (pieces)

3000

Type

2SA1577

h_FEvalues are classifies as follows.

Item

h_FE

120 to 270 180 to 390

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/2

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SA1577T106PR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1577T106Q	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor
2SA1577T106QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T106R	ROHM	获取价格	暂无描述
2SA1577T107/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T107/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T107/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1577T107/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T107P	ROHM	获取价格	500mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1577T107R	ROHM	获取价格	500mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1577W	BL Galaxy Electrical	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

与2SA1577T106PR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1577T106PR

2SA1577T106PR 技术参数

2SA1577T106PR 数据手册

与2SA1577T106PR相关器件

与2SA1577T106PR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1577T106PR

2SA1577T106PR 技术参数

2SA1577T106PR 数据手册

与2SA1577T106PR相关器件

与2SA1577T106PR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？