2SA1577T106

更新时间： 2024-11-21 12:57:55

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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4页	106K
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SA1577T106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1577T106 数据手册

Medium Power Transistor (-32V, -05A)

2SA1577

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Large I_C.

2SA1577

I_CMAX.= -500mA

2) Low V_CE(sat).Ideal for low-voltage operation.

3) Complements the 2SC4097.

2.0 0.2

0.9 0.1

0.7 0.1

1.3 0.1

0.65 0.65

0.2

(1)

(2)

Structure

∼

0.1

Epitaxial planer type

PNP silicon transistor

(3)

−

0.1

0.3

0.15 0.05

All terminals have

same dimensions

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

−40

Unit

Abbreviated symbol: H

∗

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−32

Denotes hFE

∗

−5

∗

−0.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to +150

∗

PC MAX. must not be exceeded.

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

Unit

Conditions

BV_CBO

I_C= −100μA

I_C= −1mA

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector outoff current

−40

−32

−5

−

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

−

I_E= −100μA

V_CB= −20V

V_EB= −4V

−

−1

−0.6

390

−

μA

I_EBO

−

Rmitter cutoff current

−

I_C/I_B= −300mA/−30mA

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

CE(sat)

h_FE

f_T

−

120

−

_CE= −3V, I_C= −100mA

−

_CE= −5V, I_E=20mA, f=100MHz

Transition frequency

200

MHz

V_CB= −10V, I_E=0A, f=1MHz

Output capacitance

Cob

−

Packaging specifications

Package

Code

Taping

T106

h_FEBasic ordering unit (pieces)

3000

Type

2SA1577

h_FEvalues are classifies as follows.

Item

h_FE

120 to 270 180 to 390

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/2

12 3 4

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BC556ABU	ONSEMI	功能相似	暂无描述

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2SA1577T106/Q	ROHM	获取价格	500mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN
2SA1577T106/QR	ROHM	获取价格	500mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1577T106PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T106Q	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor
2SA1577T106QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T106R	ROHM	获取价格	暂无描述
2SA1577T107/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1577T107/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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