2SA1577-Q

更新时间： 2024-11-25 07:29:43

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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2页	195K
描述
PNP Gneral Purpose Transistors

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2SA1577-Q 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1577-Q 数据手册

M C C

2SA1577-P

2SA1577-Q

2SA1577-R

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Ideally Suited for Automatic Insertion

PNP

xꢀ

Untral Small Surface Mount Package

Pb-Free Package are Vailable

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Gneral Purpose

Transistors

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.5

Unit

SOT-323

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-20Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-32

-40

-5.0

V(BR)CBO

V(BR)EBO

I_CBO

DIMENSIONS

INCHES

-1

µAdc

uAdc

DIM

MIN

.071

.045

.079

.026 Nominal

.047

.012

.000

.035

.004

.012

MAX

.087

.053

.087

MIN

1.80

1.15

2.00

MAX

NOTE

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

2.20

1.35

2.20

ON CHARACTERISTICS

0.65Nominal

1.20

DC Current Gain

390

-0.4

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

(I_C=-10mAdc, V_CE=-3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-0.1Adc, I_B=-0.01Adc)

Transition Frequency

(VCE=-5Vdc,IC=-20mAdc,f=100MHZ)

Collector Output Capacitance

(VCB=-10Vdc,IE=0,f=1MHZ)

.30

.000

.90

.100

.30

V_CE(sat)

Vdc

MHZ

200(typ)

7(typ)

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

Cob

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

0.90

Marking

1.90

0.65

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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