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| 生命周期： | Obsolete | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1408-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1.5 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| 2SA1408R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| 2SA1408-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1.5 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| 2SA1411 | KEXIN |
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Silicon PNP Epitaxia |
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| 2SA1411 | TYSEMI |
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Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V |
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| 2SA1411-LM15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1411-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1411-T1BM15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1411-T1BM16 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1411-T2BM15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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