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2SA1408-R

更新时间: 2024-10-28 13:04:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管电视输出元件输出应用放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 190K
描述
TRANSISTOR 1.5 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SA1408-R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):1.5 A基于收集器的最大容量:35 pF
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SA1408-R 数据手册

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