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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1412 | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SA1412(0)-ZK-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
|
| 2SA1412(0)-ZK-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
|
| 2SA1412(0)-ZL-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
|
| 2SA1412-AZ | RENESAS |
获取价格 |
PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
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| 2SA1412K | ETC |
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BJT |
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| 2SA1412L | ETC |
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BJT |
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| 2SA1412-Z | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SA1412-Z | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Transistor |
|
| 2SA1412-Z | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
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