生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.69 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 2 A |
集电极-发射极最大电压: | 400 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 40 MHz | 最大关闭时间(toff): | 2700 ns |
最大开启时间(吨): | 500 ns | VCEsat-Max: | 0.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SA1412-Z-T2K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, | |
2SA1412-Z-T2L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, | |
2SA1413 | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 | |
2SA1413K | ETC |
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BJT | |
2SA1413L | ETC |
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BJT | |
2SA1413M | ETC |
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BJT | |
2SA1413-Z | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 | |
2SA1413-Z | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR | |
2SA1413-Z | KEXIN |
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PNP Silicon Transistor | |
2SA1413-Z | TYSEMI |
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High Voltage: VCEO=-600V High speed:tr 1.0ìs |