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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2700 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1412-Z-T2L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
|
| 2SA1413 | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SA1413K | ETC |
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BJT |
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| 2SA1413L | ETC |
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BJT |
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| 2SA1413M | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SA1413-Z | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
|
| 2SA1413-Z | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2SA1413-Z | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Transistor |
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| 2SA1413-Z | TYSEMI |
获取价格 |
High Voltage: VCEO=-600V High speed:tr 1.0ìs |
|
| 2SA1413-Z_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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